采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈晓娟 ; 刘新宇 ; 和致经 ; 刘键 ; 邵刚 ; 魏珂 ; 吴德馨 ; 王晓亮 ; 周钧铭 ; 陈宏 |
| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 3页码:479-481 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/47104]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓娟,刘新宇,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005(3):479-481. |
| APA | 陈晓娟.,刘新宇.,和致经.,刘键.,邵刚.,...&陈宏.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件.电子器件(3),479-481. |
| MLA | 陈晓娟,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件".电子器件 .3(2005):479-481. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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