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掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析

文献类型:期刊论文

作者李华 ; 程兴奎 ; 周均铭 ; 黄绮
刊名真空电子技术
出版日期2005
期号3页码:17-19
公开日期2013-09-23
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/47173]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李华,程兴奎,周均铭,等. 掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析[J]. 真空电子技术,2005(3):17-19.
APA 李华,程兴奎,周均铭,&黄绮.(2005).掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析.真空电子技术(3),17-19.
MLA 李华,et al."掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析".真空电子技术 .3(2005):17-19.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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