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电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用

文献类型:期刊论文

作者张泽 ; 王勇 ; 刘玉资 ; 戴涛 ; 张喆
刊名电子显微学报
出版日期2005
期号4页码:244
公开日期2013-09-23
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/47716]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张泽,王勇,刘玉资,等. 电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用[J]. 电子显微学报,2005(4):244.
APA 张泽,王勇,刘玉资,戴涛,&张喆.(2005).电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用.电子显微学报(4),244.
MLA 张泽,et al."电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用".电子显微学报 .4(2005):244.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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