高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈廷杰 ; 吴灵犀 ; 徐寿定 ; 孟庆惠 ; 于鲲 ; 李永康 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 3页码:169-174 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48160]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,等. 高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合[J]. 半导体学报,1982(3):169-174. |
| APA | 陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鲲,&李永康.(1982).高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合.半导体学报(3),169-174. |
| MLA | 陈廷杰,et al."高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合".半导体学报 .3(1982):169-174. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。