硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱晖文 ; 赵柏儒 ; 刘晓彦 ; 康晋锋 ; 韩汝琦 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 4页码:337-341 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48659]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱晖文,赵柏儒,刘晓彦,等. 硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)[J]. 半导体学报,2002(4):337-341. |
| APA | 朱晖文,赵柏儒,刘晓彦,康晋锋,&韩汝琦.(2002).硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文).半导体学报(4),337-341. |
| MLA | 朱晖文,et al."硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)".半导体学报 .4(2002):337-341. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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