硅雪崩光电二极管单光子探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁创 ; 廖静 ; 梁冰 ; 吴令安 |
| 刊名 | 光子学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 29期号:12页码:1142 |
| 关键词 | 雪崩光电二极管 雪崩抑制 盖革模式 单光子探测 |
| ISSN号 | 1004-4213 |
| 其他题名 | PERFORMANCE OF A SILICON AVALANCHE DIODE AS A SINGLE PHOTON DETECTOR |
| 中文摘要 | 将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下, 制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器. 设计并制作了雪崩抑制电路, 获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间 1μs, 有源抑制下60～80ns, 输出脉冲宽度15～20ns. 并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性. 观察到一些新现象. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48665]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁创,廖静,梁冰,等. 硅雪崩光电二极管单光子探测器[J]. 光子学报,2000,29(12):1142. |
| APA | 梁创,廖静,梁冰,&吴令安.(2000).硅雪崩光电二极管单光子探测器.光子学报,29(12),1142. |
| MLA | 梁创,et al."硅雪崩光电二极管单光子探测器".光子学报 29.12(2000):1142. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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