国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:9页码:896 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48671]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H. 国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜[J]. 发光学报,2011,32(9):896. |
| APA | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H.(2011).国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜.发光学报,32(9),896. |
| MLA | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H."国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜".发光学报 32.9(2011):896. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。