红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 付军 ; 栾洪发 ; 田立林 ; 钱佩信 ; 周均铭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 8页码:603-608 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48751]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付军,栾洪发,田立林,等. 红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究[J]. 半导体学报,1997(8):603-608. |
| APA | 付军,栾洪发,田立林,钱佩信,&周均铭.(1997).红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究.半导体学报(8),603-608. |
| MLA | 付军,et al."红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究".半导体学报 .8(1997):603-608. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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