基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹德恕 ; 高国 ; 陈建新 ; 杜金玉 ; 张京燕 ; 沈光地 ; 邓军 ; 赵贞勇 ; 黄绮 ; 周钧铭 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 3页码:10-13 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48800]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹德恕,高国,陈建新,等. 基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响[J]. 半导体技术,1998(3):10-13. |
| APA | 邹德恕.,高国.,陈建新.,杜金玉.,张京燕.,...&周钧铭.(1998).基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响.半导体技术(3),10-13. |
| MLA | 邹德恕,et al."基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响".半导体技术 .3(1998):10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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