基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王基庆 ; 陈平平 ; 李志锋 ; 郭旭光 ; H.Makino ; T.Yao ; 陈弘 ; 黄绮 ; 周均铭 ; 陆卫 |
| 刊名 | 中国科学G辑:物理学、力学、天文学
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 2页码:126-131 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48817]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王基庆,陈平平,李志锋,等. 基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征[J]. 中国科学G辑:物理学、力学、天文学,2003(2):126-131. |
| APA | 王基庆.,陈平平.,李志锋.,郭旭光.,H.Makino.,...&陆卫.(2003).基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征.中国科学G辑:物理学、力学、天文学(2),126-131. |
| MLA | 王基庆,et al."基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征".中国科学G辑:物理学、力学、天文学 .2(2003):126-131. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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