基于气液固机理的大批量InN纳米线生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘海滨 ; 程国胜 ; 解思深 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 12页码:2094-2097 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48819]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘海滨,程国胜,解思深. 基于气液固机理的大批量InN纳米线生长[J]. 功能材料,2010(12):2094-2097. |
| APA | 刘海滨,程国胜,&解思深.(2010).基于气液固机理的大批量InN纳米线生长.功能材料(12),2094-2097. |
| MLA | 刘海滨,et al."基于气液固机理的大批量InN纳米线生长".功能材料 .12(2010):2094-2097. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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