具有N~+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏东平 ; 李国辉 ; 朱恩均 ; 周均铭 |
| 刊名 | 北京师范大学学报(自然科学版)
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 4页码:467-471 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/49158]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏东平,李国辉,朱恩均,等. 具有N~+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性[J]. 北京师范大学学报(自然科学版),1992(4):467-471. |
| APA | 魏东平,李国辉,朱恩均,&周均铭.(1992).具有N~+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性.北京师范大学学报(自然科学版)(4),467-471. |
| MLA | 魏东平,et al."具有N~+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性".北京师范大学学报(自然科学版) .4(1992):467-471. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。