Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H |
| 刊名 | Chinese Journal of Luminescence
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:4页码:363 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2013-09-24 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/50386]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H. Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence,2011,32(4):363. |
| APA | He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H.(2011).Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD.Chinese Journal of Luminescence,32(4),363. |
| MLA | He T, Chen Y, Li H, Dai LG, Wang XL, Xu PQ, Wang WX, Chen H."Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD".Chinese Journal of Luminescence 32.4(2011):363. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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