Oriented silicon carbide nanowires: Synthesis and field emission properties
文献类型：期刊论文
| 作者 | Pan, ZW ; Lai, HL ; Au, FCK ; Duan, XF ; Zhou, WY ; Shi, WS ; Wang, N ; Lee, CS ; Wong, NB ; Lee, ST ; Xie, SS |
| 刊名 | ADVANCED MATERIALS
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 12期号:16页码:1186 |
| 关键词 | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION BETA-SIC NANORODS CARBON NANOTUBES LASER-ABLATION DIAMOND EMITTERS GROWTH |
| ISSN号 | 0935-9648 |
| 通讯作者 | Lee, ST (reprint author), City Univ Hong Kong, Dept Phys & Mat Sci, Ctr Super Diamond & Adv Films, COSDAF, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-09-24 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/50468]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Pan, ZW,Lai, HL,Au, FCK,et al. Oriented silicon carbide nanowires: Synthesis and field emission properties[J]. ADVANCED MATERIALS,2000,12(16):1186. |
| APA | Pan, ZW.,Lai, HL.,Au, FCK.,Duan, XF.,Zhou, WY.,...&Xie, SS.(2000).Oriented silicon carbide nanowires: Synthesis and field emission properties.ADVANCED MATERIALS,12(16),1186. |
| MLA | Pan, ZW,et al."Oriented silicon carbide nanowires: Synthesis and field emission properties".ADVANCED MATERIALS 12.16(2000):1186. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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