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P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性

文献类型:期刊论文

作者王瑞忠 ; 陈培毅 ; 钱佩信 ; 罗广礼 ; 张镭 ; 郑康立 ; 周均铭
刊名半导体学报
出版日期1997
期号6页码:436-440
公开日期2013-09-24
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/50553]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王瑞忠,陈培毅,钱佩信,等. P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性[J]. 半导体学报,1997(6):436-440.
APA 王瑞忠.,陈培毅.,钱佩信.,罗广礼.,张镭.,...&周均铭.(1997).P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性.半导体学报(6),436-440.
MLA 王瑞忠,et al."P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性".半导体学报 .6(1997):436-440.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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