Photoluminescence studies of the erbium implanted silicon (in Chinese)
文献类型：期刊论文
| 作者 | Q. Gu ; J. He ; W.D. Chen ; C.H. Hsu ; X.L. Xie ; J.J. Liang ; Z.X. Ma ; X.B. Liao |
| 刊名 | Vacu. Sci. & Tech.
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 19页码:169 |
| 公开日期 | 2013-09-24 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/50953]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Q. Gu,J. He,W.D. Chen,et al. Photoluminescence studies of the erbium implanted silicon (in Chinese)[J]. Vacu. Sci. & Tech.,1999,19:169. |
| APA | Q. Gu.,J. He.,W.D. Chen.,C.H. Hsu.,X.L. Xie.,...&X.B. Liao.(1999).Photoluminescence studies of the erbium implanted silicon (in Chinese).Vacu. Sci. & Tech.,19,169. |
| MLA | Q. Gu,et al."Photoluminescence studies of the erbium implanted silicon (in Chinese)".Vacu. Sci. & Tech. 19(1999):169. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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