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PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)

文献类型:期刊论文

作者李河清 ; 倪代秦 ; 吴星 ; 胡伯清 ; 朱丽娜 ; 陈小龙
刊名人工晶体学报
出版日期2004
期号4页码:510-515
公开日期2013-09-24
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/51609]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李河清,倪代秦,吴星,等. PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)[J]. 人工晶体学报,2004(4):510-515.
APA 李河清,倪代秦,吴星,胡伯清,朱丽娜,&陈小龙.(2004).PVT法SiC单晶生长传热分析(英文).人工晶体学报(4),510-515.
MLA 李河清,et al."PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)".人工晶体学报 .4(2004):510-515.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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