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PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究

文献类型:期刊论文

作者朱丽娜 ; 李河清 ; 胡伯清 ; 吴星 ; 陈小龙
刊名华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集
出版日期2005
页码6
公开日期2013-09-24
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/51610]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
朱丽娜,李河清,胡伯清,等. PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究[J]. 华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集,2005:6.
APA 朱丽娜,李河清,胡伯清,吴星,&陈小龙.(2005).PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究.华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集,6.
MLA 朱丽娜,et al."PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究".华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集 (2005):6.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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