SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓峰 ; 黄风义 ; 孙国胜 ; 王雷 ; 赵万顺 ; 曾一平 ; 李海鸥 ; 段晓峰 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 9页码:1681-1687 |
| 公开日期 | 2013-09-24 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/52731]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓峰,黄风义,孙国胜,等. SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文)[J]. 半导体学报,2005(9):1681-1687. |
| APA | 王晓峰.,黄风义.,孙国胜.,王雷.,赵万顺.,...&段晓峰.(2005).SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文).半导体学报(9),1681-1687. |
| MLA | 王晓峰,et al."SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文)".半导体学报 .9(2005):1681-1687. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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