中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用

文献类型:期刊论文

作者李群祥 ; 杨金龙 ; 丁长庚 ; 汪克林 ; 李家明
刊名物理学报
出版日期1999
期号6页码:113-121
公开日期2013-09-24
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/53087]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李群祥,杨金龙,丁长庚,等. STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用[J]. 物理学报,1999(6):113-121.
APA 李群祥,杨金龙,丁长庚,汪克林,&李家明.(1999).STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用.物理学报(6),113-121.
MLA 李群祥,et al."STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用".物理学报 .6(1999):113-121.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。