STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李群祥 ; 杨金龙 ; 丁长庚 ; 汪克林 ; 李家明 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 6页码:113-121 |
| 公开日期 | 2013-09-24 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/53087]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李群祥,杨金龙,丁长庚,等. STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用[J]. 物理学报,1999(6):113-121. |
| APA | 李群祥,杨金龙,丁长庚,汪克林,&李家明.(1999).STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用.物理学报(6),113-121. |
| MLA | 李群祥,et al."STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用".物理学报 .6(1999):113-121. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。