STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用
文献类型:期刊论文
作者 | 李群祥 ; 杨金龙 ; 丁长庚 ; 汪克林 ; 李家明 |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 1999 |
期号 | 6页码:113-121 |
公开日期 | 2013-09-24 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/53087] ![]() |
专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李群祥,杨金龙,丁长庚,等. STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用[J]. 物理学报,1999(6):113-121. |
APA | 李群祥,杨金龙,丁长庚,汪克林,&李家明.(1999).STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用.物理学报(6),113-121. |
MLA | 李群祥,et al."STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用".物理学报 .6(1999):113-121. |
入库方式: OAI收割
来源:物理研究所
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