以电沉积二氧化硅薄膜为模板电沉积制备光电性能增强的Cu_2O薄膜
文献类型:会议论文
作者 | 伍廉奎 ; 胡吉明 ; 张鉴清 |
出版日期 | 2012 |
会议名称 | 中国化学会第28届学术年会 |
会议日期 | 2012 |
会议地点 | 中国四川成都 |
关键词 | 电沉积 二氧化硅 氧化亚铜 光电化学 |
页码 | 1 |
中文摘要 | <正>氧化亚铜由于具有较窄的带隙能,且在可见光区有吸收,在光电化学中有重要的应用。本文采用两步法电沉积制备了以二氧化硅为模板的Cu2O,并研究了其光电化学性质。首先,我们在TEOS/CuCl2/Na2(EDTA)体系中采用电化学共沉积技术,制备出了多孔性的SiO2/Cu复合膜;其次,采用HF将该复合膜中的SiO2刻蚀 |
会议主办者 | 中国化学会 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72086] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 伍廉奎,胡吉明,张鉴清. 以电沉积二氧化硅薄膜为模板电沉积制备光电性能增强的Cu_2O薄膜[C]. 见:中国化学会第28届学术年会. 中国四川成都. 2012. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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