芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑凯 ; 刘春忠 ; 刘志权 |
| 刊名 | 沈阳航空航天大学学报
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| 出版日期 | 2013-10-25 |
| 期号 | 5页码:54-59 |
| 关键词 | 微电子封装 失效 电迁移 孔洞 熔断 |
| 中文摘要 | 随着电子封装互连焊点尺寸的不断减小,其电流密度越来越大,产生大量的焦耳热,焊点在服役中受到热场和电场共同作用,导致焊点的熔断失效。本文在常温环境和低温环境下分别加载1.0 A恒定电流的作用下,分析了CSP(Chip Size Package,即芯片级封装)样品的失效过程以及在不同服役条件下的Sn-3.8Ag-0.7Cu微焊球横截面的组织变化。得出互连体的失效行为分为三个阶段,并观察到互连焊点的界面处化合物Cu6Sn5在PCB(Printed circuit board,即印刷电路板)端界面处的生长和芯片端UBM(Under Ball Metal,即凸点下金属层)层Cu的消耗,同时得到降低其环境温度抑制CSP样品失效的结论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-02-18 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72308]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑凯,刘春忠,刘志权. 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为[J]. 沈阳航空航天大学学报,2013(5):54-59. |
| APA | 郑凯,刘春忠,&刘志权.(2013).芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为.沈阳航空航天大学学报(5),54-59. |
| MLA | 郑凯,et al."芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为".沈阳航空航天大学学报 .5(2013):54-59. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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