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氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究

文献类型:期刊论文

作者寇冠涛; 薛群基
刊名无机材料学报
出版日期2005
卷号20期号:3页码:759-763
关键词单晶硅 氩离子注入 纳米划痕 断裂韧性 single-crystal silicon Ar+ implantation nano-scratch fracture toughness
ISSN号1000-324X
通讯作者薛群基
中文摘要通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前、后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构,研究结果表明:一定剂量的氩离子注入使单晶硅表面的断裂韧性得到改善,提高了其在纳米划痕过程中的失效负荷。原因是氩离子的注入使单晶硅表面形成了硅的微晶态与非晶态共存的混合态结构的改性层,改善了单晶硅的微观力学性能。
学科主题材料科学与物理化学
收录类别SCI ; CSCD
资助信息国家自然科学基金(50323007;50172052);中科院百人计划
语种中文
CSCD记录号CSCD:1991196
公开日期2014-03-03
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/5115]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
通讯作者薛群基
推荐引用方式
GB/T 7714
寇冠涛,薛群基. 氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究[J]. 无机材料学报,2005,20(3):759-763.
APA 寇冠涛,&薛群基.(2005).氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究.无机材料学报,20(3),759-763.
MLA 寇冠涛,et al."氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究".无机材料学报 20.3(2005):759-763.

入库方式: OAI收割

来源:兰州化学物理研究所

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