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离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响

文献类型:期刊论文

作者王立平; 梁爱民
刊名材料科学与工程学报
出版日期2005
卷号23期号:4页码:534-536
关键词TiN薄膜 离子束辅助沉积 结合强度 纳米硬度 摩擦学性能 TiN film ion beam aided deposition bonding strength hardness tribological properties
ISSN号1673-2812
中文摘要采用低能离子束辅助沉积技术在Si片上制备了TiN 纳米薄膜。考察了离子束流密度和基底温度对薄膜性能的影响。研究表明: 随着离子束流密度的增大, TiN 薄膜的纳米硬度上升, 膜基结合力变化不大, 薄膜的耐磨性获得了很大改善; 制膜时的基底温度升高, 薄膜的硬度也会上升, 但膜基结合力下降, 摩擦系数增大, 薄膜的耐磨性下降。
学科主题材料科学与物理化学
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金资助项目(50323007;50172052)
语种中文
CSCD记录号CSCD:2000722
公开日期2014-03-03
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/5271]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王立平,梁爱民. 离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响[J]. 材料科学与工程学报,2005,23(4):534-536.
APA 王立平,&梁爱民.(2005).离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响.材料科学与工程学报,23(4),534-536.
MLA 王立平,et al."离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响".材料科学与工程学报 23.4(2005):534-536.

入库方式: OAI收割

来源:兰州化学物理研究所

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