离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 王立平![]() ![]() |
刊名 | 材料科学与工程学报
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出版日期 | 2005 |
卷号 | 23期号:4页码:534-536 |
关键词 | TiN薄膜 离子束辅助沉积 结合强度 纳米硬度 摩擦学性能 TiN film ion beam aided deposition bonding strength hardness tribological properties |
ISSN号 | 1673-2812 |
中文摘要 | 采用低能离子束辅助沉积技术在Si片上制备了TiN 纳米薄膜。考察了离子束流密度和基底温度对薄膜性能的影响。研究表明: 随着离子束流密度的增大, TiN 薄膜的纳米硬度上升, 膜基结合力变化不大, 薄膜的耐磨性获得了很大改善; 制膜时的基底温度升高, 薄膜的硬度也会上升, 但膜基结合力下降, 摩擦系数增大, 薄膜的耐磨性下降。 |
学科主题 | 材料科学与物理化学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(50323007;50172052) |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:2000722 |
公开日期 | 2014-03-03 |
源URL | [http://210.77.64.217/handle/362003/5271] ![]() |
专题 | 兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立平,梁爱民. 离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响[J]. 材料科学与工程学报,2005,23(4):534-536. |
APA | 王立平,&梁爱民.(2005).离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响.材料科学与工程学报,23(4),534-536. |
MLA | 王立平,et al."离子束流密度和基底温度对TiN纳米薄膜性能的影响".材料科学与工程学报 23.4(2005):534-536. |
入库方式: OAI收割
来源:兰州化学物理研究所
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