AlGaInP DH-LED的pn结特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁中翥 ; 秦余欣; 田超; 梁静秋
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2013-09-15 |
| 期号 | 09页码:1213-1218 |
| 关键词 | AlGaInP 电压电流特性 pn结 简并半导体 |
| 中文摘要 | 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-03-07 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38377]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁中翥,秦余欣,田超,等. AlGaInP DH-LED的pn结特性[J]. 发光学报,2013(09):1213-1218. |
| APA | 梁中翥,秦余欣,田超,&梁静秋.(2013).AlGaInP DH-LED的pn结特性.发光学报(09),1213-1218. |
| MLA | 梁中翥,et al."AlGaInP DH-LED的pn结特性".发光学报 .09(2013):1213-1218. |
入库方式： OAI收割
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