极紫外光学元件表面碳污染模型的建立
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢启鹏 ; 龚学鹏; 彭忠琦
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| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2013-12-10 |
| 期号 | 12页码:366-372 |
| 关键词 | 光学器件 极紫外光刻 碳氢化合物污染模型 多层膜光学元件 二次电子 |
| 中文摘要 | 为有效评估和预测在极紫外光辐照下,极紫外光刻机中残留的碳氢化合物气体在多层膜光学元件表面造成的碳污染状况,建立了光学元件表面碳沉积的复杂理论模型,描述了残留碳氢化合物在光学表面的传输,在极紫外光子和二次电子激发下引起的分子分解,并在光学表面形成碳沉积层的过程。模型预测结果和实验数据吻合得很好。理论分析表明引起碳氢化合物分解的主要原因是光子分解而不是二次电子分解。碳层的增长依赖于碳氢化合物气体偏压和极紫外光强,具有较轻分子量的碳氢化合物(<~100amu)对污染的贡献很小。同时当基底温度适度增加时(~30℃),能够加速表面碳氢化合物分子的解吸附,可有效减少碳污染。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-03-07 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38599]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢启鹏,龚学鹏,彭忠琦. 极紫外光学元件表面碳污染模型的建立[J]. 光学学报,2013(12):366-372. |
| APA | 卢启鹏,龚学鹏,&彭忠琦.(2013).极紫外光学元件表面碳污染模型的建立.光学学报(12),366-372. |
| MLA | 卢启鹏,et al."极紫外光学元件表面碳污染模型的建立".光学学报 .12(2013):366-372. |
入库方式： OAI收割
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