850nm锥形半导体激光器的温度特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 秦莉 ; 宁永强; 王立军
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| 刊名 | 中国光学
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| 出版日期 | 2013-04-15 |
| 期号 | 02页码:201-207 |
| 关键词 | 锥形半导体激光器 温度特性 特征温度 |
| 中文摘要 | 采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性。结果显示,测试温度为20～70℃时,锥形结构器件的特征温度为164 K,远高于条形结构器件的96 K;占空比为0.5%(t=50μs,f=100 Hz),1 000 mA脉冲电流注入条件下,锥形激光器和条形激光器的波长漂移系数分别为0.25和0.28 nm/K;测试温度<50℃时,锥形激光器和条形激光器的光谱半高宽分别约为1.12和1.24 nm。实验结果表明:相同外延层结构条件下,锥形激光器比条形激光器拥有更高的特征温度。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-03-07 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38908]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦莉,宁永强,王立军. 850nm锥形半导体激光器的温度特性[J]. 中国光学,2013(02):201-207. |
| APA | 秦莉,宁永强,&王立军.(2013).850nm锥形半导体激光器的温度特性.中国光学(02),201-207. |
| MLA | 秦莉,et al."850nm锥形半导体激光器的温度特性".中国光学 .02(2013):201-207. |
入库方式： OAI收割
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