电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张振中 ; 王双鹏; 刘雷; 张立功; 李炳辉; 申德振; 赵东旭
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2013-06-15 |
| 期号 | 06页码:692-697 |
| 关键词 | ZnO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿 |
| 中文摘要 | 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-03-07 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38993]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,王双鹏,刘雷,等. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压[J]. 发光学报,2013(06):692-697. |
| APA | 张振中.,王双鹏.,刘雷.,张立功.,李炳辉.,...&赵东旭.(2013).电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压.发光学报(06),692-697. |
| MLA | 张振中,et al."电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压".发光学报 .06(2013):692-697. |
入库方式： OAI收割
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