808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立军 ; 张金龙; 宁永强
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2013-12-15 |
| 期号 | 12页码:1636-1640 |
| 关键词 | 808 nm 垂直腔面发射激光器 列阵 温漂特性 |
| 中文摘要 | 为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20℃、脉宽为50μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-03-07 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/39013]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军,张金龙,宁永强. 808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析[J]. 发光学报,2013(12):1636-1640. |
| APA | 王立军,张金龙,&宁永强.(2013).808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析.发光学报(12),1636-1640. |
| MLA | 王立军,et al."808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析".发光学报 .12(2013):1636-1640. |
入库方式： OAI收割
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