Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo |
| 刊名 | chin. phys. b
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 22期号:6页码:067203 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2014-03-18 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24535]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo. Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor[J]. chin. phys. b,2013,22(6):067203. |
| APA | Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo.(2013).Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor.chin. phys. b,22(6),067203. |
| MLA | Yu Ying-Xia, Lin Zhao-Jun, Luan Chong-Biao, Wang Yu-Tang, Chen Hong, Wang Zhan-Guo."Electron mobility in the linear region of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor".chin. phys. b 22.6(2013):067203. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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