AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lifang Jia ; Wei Yan ; Zhongchao Fan ; Zhi He ; Xiaodong Wang ; Guohong Wang ; Fuhua Yang |
| 刊名 | electron device letters, ieee
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 34期号:10页码:1235 - 1237 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-03-26 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24561]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lifang Jia,Wei Yan,Zhongchao Fan,et al. AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process[J]. electron device letters, ieee,2013,34(10):1235 - 1237. |
| APA | Lifang Jia.,Wei Yan.,Zhongchao Fan.,Zhi He.,Xiaodong Wang.,...&Fuhua Yang.(2013).AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process.electron device letters, ieee,34(10),1235 - 1237. |
| MLA | Lifang Jia,et al."AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process".electron device letters, ieee 34.10(2013):1235 - 1237. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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