Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 102期号:22页码:223507 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-03-26 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24562]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang. Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire[J]. applied physics letters,2013,102(22):223507. |
| APA | Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang.(2013).Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire.applied physics letters,102(22),223507. |
| MLA | Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang."Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire".applied physics letters 102.22(2013):223507. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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