纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN
文献类型：会议论文
| 作者 | 董鹏; 闫建昌; 吴奎; 曾建平; 丛培沛; 孙莉莉; 蓝鼎 ; 王军喜; 李晋闽
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| 出版日期 | 2012 |
| 会议名称 | 第十二届全国MOCVD学术会议 |
| 会议日期 | 2012-04-11 |
| 会议地点 | 中国福建厦门 |
| 关键词 | MOCVD 蓝宝石衬底 AlN 纳米图形 外延生长 侧向外延 外延层 AIN 纳米级 发光的 微米级 摇摆曲线 形貌 深紫外 原子的 迁移率 位错密度 自组装 紫外固化 反应室 |
| 页码 | 6-6 |
| 中文摘要 | AlGaN基的深紫外LED在消毒杀菌、生物医学、保密通信、紫外固化等领域具有广泛的应用前景。高质量、低位错密度的AlN模板是实现深紫外LED高效率发光的重要基础。为了降低A1N模板的位错密度,有研究组在微米级(2～5μm)的沟槽型蓝宝石衬底上MOCVD外延A1N模板的技术,通过A1N材料的侧向外延,有效的降低了穿透位错密度。但是由于Al原子的表面粘附性大,迁移率低,侧向合并困难,对于微米级图形需要生长较厚的A1N(10～20μm)才能完全合并,导致外延时间代价较大。采 |
| 会议录 | 第十二届全国MOCVD学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48359]  |
| 专题 | 力学研究所_国家微重力实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董鹏,闫建昌,吴奎,等. 纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN[C]. 见:第十二届全国MOCVD学术会议. 中国福建厦门. 2012-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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