单晶硅基底上铜薄膜沉积生长的分子动力学模拟
文献类型：会议论文
| 作者 | 张俊 ; 刘崇; 王连红; 舒勇华; 樊菁
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| 出版日期 | 2012 |
| 会议名称 | 第十二届全国物理力学学术会议 |
| 会议日期 | 2012-11-12 |
| 会议地点 | 中国广西桂林 |
| 关键词 | 薄膜 外延生长 晶体结构与晶向 分子动力学 |
| 页码 | 24-24 |
| 中文摘要 | 由于铜有较好的导电性和较高的抗电迁移能力,铜已逐步代替铝在超大规模集成电路中作为连接线使用。另一方面,铜/硅界面有着较好的欧姆接触,因此广泛应用于微机电系统。近年来已有一些单晶硅基底上铜薄膜外延生长的实验研究,包括电子束沉积,磁控溅射,分子束外延等方法。由于受实验条件的限制,这些研究还不是很系统。本文采用分子动力学方法模拟单晶硅基底上铜薄膜的沉积生长,同实验相比,分子模拟可以从细节上分析沉积薄膜的形貌和生长机制。本文中我们主要关注铜薄膜的生长模式、生长取向、表面形貌以及铜/硅界面的扩散特性等。我们的结果表明薄膜的生长取向与硅基底表面密切相关:在(001)表面的硅基底上低温时沿方向生长... |
| 会议录 | 第十二届全国物理力学学术会议论文摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48520]  |
| 专题 | 力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张俊,刘崇,王连红,等. 单晶硅基底上铜薄膜沉积生长的分子动力学模拟[C]. 见:第十二届全国物理力学学术会议. 中国广西桂林. 2012-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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