稀薄氧压下原位生长铜薄膜的氧化程度研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 舒勇华 ; 刘崇; 王连红; 张俊; 李帅辉; 樊菁
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| 出版日期 | 2012 |
| 会议名称 | 第十二届全国物理力学学术会议 |
| 会议日期 | 2012-11-12 |
| 会议地点 | 中国广西桂林 |
| 关键词 | 吸附系数 氧化 稀薄氧压 铜薄膜 超微量天平 |
| 页码 | 45-45 |
| 中文摘要 | 在稀薄氧压下,用电子束蒸发的方法在铝酸镧(LaAlO_3)基片上沉积制备纳尺度的铜薄膜。基于超微量天平对沉积质量的精确测量,以及ICP-AES对薄膜中金属元素的准确分析,研究了基片温度和氧分压对铜原子在铝酸镧基片表面吸附系数的影响。同时,用超微量天平精确测量沉积薄膜的总质量,并用ICP-AES分析薄膜中铜元素的质量,进而确定了纳尺度铜薄膜的氧化程度,通过改变氧分压和基片温度,获得了铜薄膜的氧化程度与氧分压和基片温度之间的关系。用XRD分析了薄膜结构,用SEM观察了薄膜表面形貌,这些研究结果为三源共蒸发原位制备YBCO薄膜中基片温度和氧分压的选择提供了依据。 |
| 会议录 | 第十二届全国物理力学学术会议论文摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/48522]  |
| 专题 | 力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒勇华,刘崇,王连红,等. 稀薄氧压下原位生长铜薄膜的氧化程度研究[C]. 见:第十二届全国物理力学学术会议. 中国广西桂林. 2012-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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