Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer
文献类型：期刊论文
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| 作者 | SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen |
| 刊名 | chin. phys. lett.
 ; Chin. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 30期号:11页码:118501 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-04 ; 2014-04-04 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24663]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen. Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer, Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer[J]. chin. phys. lett., Chin. Phys. Lett.,2013, 2013,30, 30(11):118501, 118501. |
| APA | SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen.(2013).Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer.chin. phys. lett.,30(11),118501. |
| MLA | SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen."Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer".chin. phys. lett. 30.11(2013):118501. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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