Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth
文献类型:期刊论文
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作者 | J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz |
刊名 | ecs solid state lett. ; ECS Solid State Lett. |
出版日期 | 2013 ; 2013 |
卷号 | 2期号:9页码:73-75 |
学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 ; 英语 |
公开日期 | 2014-04-04 ; 2014-04-04 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24665] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz. Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth, Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth[J]. ecs solid state lett., ECS Solid State Lett.,2013, 2013,2, 2(9):73-75, 73-75. |
APA | J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz.(2013).Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth.ecs solid state lett.,2(9),73-75. |
MLA | J. J. Wen, Z. Liu, L. L. Li, C. Li, C. L. Xue, Y. H. Zuo, C. B. Li, Q. M. Wang and B. W. Chengz."Cooling Rate Dependent Lattice Rotation in Ge on Insulators Formed by Rapid Melt Growth".ecs solid state lett. 2.9(2013):73-75. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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