Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Jijun Li, Chunwang Zhao, Yongming Xing, Shaojian Su, Buwen Cheng |
| 刊名 | materials
 ; Materials
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| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 6期号:6页码:2130-2142 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-08 ; 2014-04-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24672]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jijun Li, Chunwang Zhao, Yongming Xing, Shaojian Su, Buwen Cheng. Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface, Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface[J]. materials, Materials,2013, 2013,6, 6(6):2130-2142, 2130-2142. |
| APA | Jijun Li, Chunwang Zhao, Yongming Xing, Shaojian Su, Buwen Cheng.(2013).Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface.materials,6(6),2130-2142. |
| MLA | Jijun Li, Chunwang Zhao, Yongming Xing, Shaojian Su, Buwen Cheng."Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface".materials 6.6(2013):2130-2142. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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