High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
文献类型：期刊论文
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| 作者 | M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang |
| 刊名 | applied physics letters
 ; Applied Physics Letters
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| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 103期号:4页码:043508 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-09 ; 2014-04-09 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24725]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang. High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction, High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction[J]. applied physics letters, Applied Physics Letters,2013, 2013,103, 103(4):043508, 043508. |
| APA | M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang.(2013).High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction.applied physics letters,103(4),043508. |
| MLA | M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang."High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction".applied physics letters 103.4(2013):043508. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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