MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Tiancheng ; Ni, Qinfei ; Liu, Xuezhen ; Yu, Bin ; Wang, Yuxia ; Zhang, Yu ; Ma, Xunpeng ; Wang, Yongbin ; Xu, Yun |
| 刊名 | key engineering materials
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 552页码:389-392 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24814]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Tiancheng,Ni, Qinfei,Liu, Xuezhen,et al. MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers[J]. key engineering materials,2013,552:389-392. |
| APA | Zhang, Tiancheng.,Ni, Qinfei.,Liu, Xuezhen.,Yu, Bin.,Wang, Yuxia.,...&Xu, Yun.(2013).MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers.key engineering materials,552,389-392. |
| MLA | Zhang, Tiancheng,et al."MBE growth of 2.3m InGaAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well diode lasers".key engineering materials 552(2013):389-392. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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