Study on improving the compactness of SiO2 thin film by PECVD
文献类型:期刊论文
作者 | GUO Wen-tao,TAN Man-qing,JIAO Jian,GUO Xiao-feng,SUN Ning-ning |
刊名 | journal of synthetic crystals
![]() |
出版日期 | 2013 |
卷号 | 42期号:4页码:577-581 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2014-04-28 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24830] ![]() |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | GUO Wen-tao,TAN Man-qing,JIAO Jian,GUO Xiao-feng,SUN Ning-ning. Study on improving the compactness of SiO2 thin film by PECVD[J]. journal of synthetic crystals,2013,42(4):577-581. |
APA | GUO Wen-tao,TAN Man-qing,JIAO Jian,GUO Xiao-feng,SUN Ning-ning.(2013).Study on improving the compactness of SiO2 thin film by PECVD.journal of synthetic crystals,42(4),577-581. |
MLA | GUO Wen-tao,TAN Man-qing,JIAO Jian,GUO Xiao-feng,SUN Ning-ning."Study on improving the compactness of SiO2 thin film by PECVD".journal of synthetic crystals 42.4(2013):577-581. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。