ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林元华 ; 张中太 ; 袁方利 ; 李晋林 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 10页码:867-872+945 |
| 关键词 | 压敏电阻:4952 ZnO导电陶瓷:4879 电阻率:3330 非线性系数:3118 烧结温度:3088 陶瓷电阻:2494 复合粉体:2235 陶瓷复合:2212 压敏电压:1735 线性电阻:1476 |
| 中文摘要 | 本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６ 掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２ 以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６ 掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２ 两种复合粉体，利用高频等离子体焙解新工艺，制得了纳米ＺｎＯ 及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ 分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ ．利用前者，通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３ 和ＭｇＯ，制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ ，Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ 线性陶瓷电阻．利用后者，通过适当的杂质配比，在１０００℃左右烧结，可获得致密的瓷体，压敏电压可达４８０Ｖ／ｍ ｍ 左右，非线性系数可达５２． |
| 公开日期 | 2014-03-14 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/7440]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林元华,张中太,袁方利,等. ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征[J]. 半导体学报,1999(10):867-872+945. |
| APA | 林元华,张中太,袁方利,&李晋林.(1999).ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征.半导体学报(10),867-872+945. |
| MLA | 林元华,et al."ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征".半导体学报 .10(1999):867-872+945. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
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