高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 洪若瑜 ; 李洪钟 ; 李春忠 ; 胡黎明 |
| 刊名 | 化工冶金
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 03页码:273-277 |
| 关键词 | 超细粉 氮化硅 高频等离子体 化学气相沉积 |
| 中文摘要 | 以Ar气为载气，SiCl4和NH3为原料，在高频等离子体化学气相沉积反应器中，制备了超细无定形的Si3N4粉未．该粉具有粒度小、粒径窄和分散均匀的特点，氮含量在36％以上．实验中发现，当SiCl4进料口在前，NH3进料口在后，且两个进料口均在高频等离子体尾焰处，经脱NH4Cl的产物中氮含量较高．而反应物NH3也不宜太过量，以NH3：SiCl4=8：1为好．Si3N4的晶型转变在1400“C下处理8h，效果较好 |
| 公开日期 | 2014-03-14 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/7796]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪若瑜,李洪钟,李春忠,等. 高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究[J]. 化工冶金,1996(03):273-277. |
| APA | 洪若瑜,李洪钟,李春忠,&胡黎明.(1996).高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究.化工冶金(03),273-277. |
| MLA | 洪若瑜,et al."高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究".化工冶金 .03(1996):273-277. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
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