高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究
文献类型:期刊论文
作者 | 洪若瑜 ; 李洪钟 ; 李春忠 ; 胡黎明 |
刊名 | 化工冶金
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出版日期 | 1996 |
期号 | 03页码:273-277 |
关键词 | 超细粉 氮化硅 高频等离子体 化学气相沉积 |
中文摘要 | 以Ar气为载气,SiCl4和NH3为原料,在高频等离子体化学气相沉积反应器中,制备了超细无定形的Si3N4粉未.该粉具有粒度小、粒径窄和分散均匀的特点,氮含量在36%以上.实验中发现,当SiCl4进料口在前,NH3进料口在后,且两个进料口均在高频等离子体尾焰处,经脱NH4Cl的产物中氮含量较高.而反应物NH3也不宜太过量,以NH3:SiCl4=8:1为好.Si3N4的晶型转变在1400“C下处理8h,效果较好 |
公开日期 | 2014-03-14 |
版本 | 出版稿 |
源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/7796] ![]() |
专题 | 过程工程研究所_研究所(批量导入) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪若瑜,李洪钟,李春忠,等. 高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究[J]. 化工冶金,1996(03):273-277. |
APA | 洪若瑜,李洪钟,李春忠,&胡黎明.(1996).高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究.化工冶金(03),273-277. |
MLA | 洪若瑜,et al."高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅超细粉的工艺研究".化工冶金 .03(1996):273-277. |
入库方式: OAI收割
来源:过程工程研究所
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