Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui |
| 刊名 | acta physica sinica
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 62期号:11页码:117103 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24847]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui. Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film[J]. acta physica sinica,2013,62(11):117103. |
| APA | Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui.(2013).Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film.acta physica sinica,62(11),117103. |
| MLA | Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui."Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film".acta physica sinica 62.11(2013):117103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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