High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhen, Dong ; Cuiluan, Wang ; Hongqi, Jing ; Suping, Liu ; Xiaoyu, Ma |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 34期号:11页码:114011 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-04-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24851]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhen, Dong,Cuiluan, Wang,Hongqi, Jing,et al. High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current[J]. journal of semiconductors,2013,34(11):114011. |
| APA | Zhen, Dong,Cuiluan, Wang,Hongqi, Jing,Suping, Liu,&Xiaoyu, Ma.(2013).High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current.journal of semiconductors,34(11),114011. |
| MLA | Zhen, Dong,et al."High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current".journal of semiconductors 34.11(2013):114011. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。