Fabrication of tellurium doped silicon detector by femtosecond laser and excimer laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, Xiyuan ; Huang, Yongguang ; Liu, Dewei ; Zhu, Xiaoning ; Wang, Baojun ; Zhu, Hongliang |
| 刊名 | chinese journal of lasers
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 40期号:3页码:0302001 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-05-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24913]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Xiyuan,Huang, Yongguang,Liu, Dewei,et al. Fabrication of tellurium doped silicon detector by femtosecond laser and excimer laser[J]. chinese journal of lasers,2013,40(3):0302001. |
| APA | Wang, Xiyuan,Huang, Yongguang,Liu, Dewei,Zhu, Xiaoning,Wang, Baojun,&Zhu, Hongliang.(2013).Fabrication of tellurium doped silicon detector by femtosecond laser and excimer laser.chinese journal of lasers,40(3),0302001. |
| MLA | Wang, Xiyuan,et al."Fabrication of tellurium doped silicon detector by femtosecond laser and excimer laser".chinese journal of lasers 40.3(2013):0302001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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