An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μm single-poly CMOS process for passive RFID tags
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Jia Xiaoyun,Feng Peng,Zhang Shengguang,Wu Nanjian,Zhao Baiqin and Liu Su |
| 刊名 | Journal of Semiconductors
 ; Journal of Semiconductors
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| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 34期号:8页码:085004 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2014-05-08 ; 2014-05-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24921]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jia Xiaoyun,Feng Peng,Zhang Shengguang,Wu Nanjian,Zhao Baiqin and Liu Su. An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μm single-poly CMOS process for passive RFID tags, An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μm single-poly CMOS process for passive RFID tags[J]. Journal of Semiconductors, Journal of Semiconductors,2013, 2013,34, 34(8):085004, 085004. |
| APA | Jia Xiaoyun,Feng Peng,Zhang Shengguang,Wu Nanjian,Zhao Baiqin and Liu Su.(2013).An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μm single-poly CMOS process for passive RFID tags.Journal of Semiconductors,34(8),085004. |
| MLA | Jia Xiaoyun,Feng Peng,Zhang Shengguang,Wu Nanjian,Zhao Baiqin and Liu Su."An ultra-low-power area-efficient non-volatile memory in a 0.18 μm single-poly CMOS process for passive RFID tags".Journal of Semiconductors 34.8(2013):085004. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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