Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng, M.X. ; Liu, J.P. ; Zhang, S.M. ; Liu, Z.S. ; Jiang, D.S. ; Li, Z.C. ; Wang, F. ; Li, D.Y. ; Zhang, L.Q. ; Wang, H. ; Yang, H. |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 102期号:18页码:183509 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-05-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24914]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, M.X.,Liu, J.P.,Zhang, S.M.,et al. Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes[J]. applied physics letters,2013,102(18):183509. |
| APA | Feng, M.X..,Liu, J.P..,Zhang, S.M..,Liu, Z.S..,Jiang, D.S..,...&Yang, H..(2013).Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes.applied physics letters,102(18),183509. |
| MLA | Feng, M.X.,et al."Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes".applied physics letters 102.18(2013):183509. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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