The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p - I - N solar cells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui |
| 刊名 | chinese physics b
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 22期号:6页码:068802 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-05-08 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24916]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui. The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p - I - N solar cells[J]. chinese physics b,2013,22(6):068802. |
| APA | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui.(2013).The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p - I - N solar cells.chinese physics b,22(6),068802. |
| MLA | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui."The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p - I - N solar cells".chinese physics b 22.6(2013):068802. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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