掺氮区熔硅单晶深能级的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 栾洪发 ; 梁骏吾 ; 邓礼生 ; 郑红军 ; 黄大定 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 卷号 | 9期号:3页码:312-314 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-05-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24943]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栾洪发,梁骏吾,邓礼生,等. 掺氮区熔硅单晶深能级的研究[J]. 半导体学报,1988,9(3):312-314. |
| APA | 栾洪发,梁骏吾,邓礼生,郑红军,&黄大定.(1988).掺氮区熔硅单晶深能级的研究.半导体学报,9(3),312-314. |
| MLA | 栾洪发,et al."掺氮区熔硅单晶深能级的研究".半导体学报 9.3(1988):312-314. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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